一、材料準(zhǔn)備階段?

1、基材選擇?

常用銅材（紫銅、銅鉻鋯合金）或不銹鋼，厚度通常為0.03~0.7mm，需保證高導(dǎo)熱性（>320W/(m·K)）和機(jī)械強(qiáng)度。

材料需經(jīng)退火處理（銅材300~500℃）以改善晶格均勻性，減少蝕刻變形。

2、表面預(yù)處理?

除油：丙酮超聲清洗+酸洗去除氧化層，確保后續(xù)掩膜附著力。

鈍化：鉻酸鹽處理銅表面防止氧化。

二、圖形轉(zhuǎn)移階段?

1、掩膜制作?

涂覆光刻膠：旋涂（3000rpm對(duì)應(yīng)1μm膠層）或噴涂，前烘（80~100℃/1~2min）固化。

曝光顯影：UV曝光（365nm波長(zhǎng)，10~30mJ/cm2劑量）后，正膠用NaOH顯影，負(fù)膠保留曝光區(qū)域。

硬烘（120℃）增強(qiáng)掩膜耐蝕性。

2、圖形設(shè)計(jì)?

毛細(xì)通道結(jié)構(gòu)需通過(guò)半刻工藝實(shí)現(xiàn)，支撐柱區(qū)域需完全保護(hù)。

三、蝕刻加工階段?

1、濕法蝕刻（主流工藝）?

銅材?：FeCl?溶液（40~50℃）或環(huán)保型過(guò)硫酸鹽，蝕刻速率1μm/30~60秒。

不銹鋼?：HCl+HNO?混酸（王水）或氯化鐵溶液，需控制側(cè)蝕率<10%。

噴淋壓力與溫度均勻性直接影響蝕刻深度一致性。

2、干法蝕刻（高精度需求）?

等離子體蝕刻（CF?/O?）用于納米級(jí)結(jié)構(gòu)，如微溝槽陣列。

四、后處理與組裝?

去膜清洗?

堿液（40~60g/L NaOH，50~80℃）去除光刻膠，氧等離子體灰化殘留。

鈍化處理防止氧化，必要時(shí)電鍍鎳層增強(qiáng)耐腐蝕性。

均溫板組裝?

上下蓋板點(diǎn)膠貼合，內(nèi)置銅網(wǎng)支撐結(jié)構(gòu)，真空注水后密封。

高溫?zé)Y(jié)（一次成型）提升結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，良率可達(dá)95%以上。

五、質(zhì)量控制?

AOI檢測(cè)?：光學(xué)掃描對(duì)比設(shè)計(jì)圖形，識(shí)別蝕刻不均或殘銅缺陷。

氦檢漏?：確保腔體密封性，漏率需<1×10?? Pa·m3/s3。